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半导体处理中的湿度范围与创造性

韩国判决从金属抗蚀剂反应机理、数值范围及现有技术结合动机分析创造性。

半导体工艺湿度范围与数值限定专利

裁判针对哪些权利要求

韩国专利法院于2026年7月8日在2025Heo10509案中驳回请求,维持了2025年6月27日撤销第2640367号专利权利要求1、2、4、5、7的审决。不能将结果扩展到权利要求3、6,也不宜笼统称为全部权利要求无效。

水分、加热与抗蚀剂反应

权利要求1涉及将带有含金属抗蚀剂或金属硬掩膜的已曝光基板放置在加热板上,抽排腔室并加热,在加热前或加热中按43%—60%的限定供给水分以促进聚集。权利要求4、7分别涉及相应装置和程序存储介质。

现有技术1公开了有机化学放大型抗蚀剂曝光后烘烤时的水分控制;现有技术5涉及含金属抗蚀剂的水解、氢氧化物形成及后续金属—氧缩合。法院着眼于实际反应,而非仅凭“聚集”和“缩合”的文字差异区分技术。加热阶段仍可继续缩合,并不限于溶液阶段或曝光时。

涉案专利图7:加热处理装置
涉案专利图7:加热处理装置

结合两项技术的理由

水分与图形线宽、均匀性的关系,以及含金属抗蚀剂对水的反应已经为人所知。法院讨论了本领域技术人员为获得分辨率及耐蚀刻性而选择金属材料时,是否会采用已有的工艺控制方式。

这一分析把技术问题、材料性质和工艺条件联系起来,并没有把有机与含金属抗蚀剂视为化学性质相同的材料。

现有技术1图4:排气与加热结构
现有技术1图4:排气与加热结构

范围重叠并非独立的决定因素

现有技术1记载23℃下45%—55%的相对湿度,落在43%—60%之内。但由于材料不同,范围重叠本身不能证明技术完全相同。法院还结合了技术组合的动机及水分对线宽的可预期影响。

专利未能证明选定范围带来性质不同或显著提高的效果,因此在本案中被视为通常优化。这是基于具体说明书和现有技术的判断,不是要求所有数值限定发明都采用同一种实验。

湿度条件与图形形成关系资料
湿度条件与图形形成关系资料

从属项及撰写启示

对于权利要求2、5,现有技术6公开了加热前约50%的加湿;采用独立的可封闭容器也被认为属于常规设计选择。权利要求1、4、7相对于现有技术1与5的结合不具创造性,权利要求2、5还结合了现有技术6。

以数值范围为重点的申请,应说明材料、反应与工艺的关系、区间选择的意义及效果依据。在争议中还须逐项审查完整限定和结合动机。IPLEX可协助专利申请撰写及韩国专利无效、审决撤销诉讼。

图中保留原始标注与形态,相关内容在正文中说明。

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